問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

答案：去除氮化硅使用熱磷酸進(jìn)行濕法化學(xué)剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160℃左右并對(duì)露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。用熱磷...

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學(xué)氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。
刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預(yù)刻蝕，用于去...

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】描述電子回旋共振（ECR）。

答案： ECR反應(yīng)器在1~10毫托的工作壓力下產(chǎn)生很密的等離子體。它在磁場(chǎng)環(huán)境中采用2.45GHZ微波激勵(lì)源來(lái)產(chǎn)生高密度等離子體...