下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。