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判斷題熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

1.判斷題在各向同性刻蝕時，薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

2.判斷題外延生長過程中雜質(zhì)的對流擴(kuò)散效應(yīng)，特別是高濃度一側(cè)向異側(cè)端的擴(kuò)散，不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變，且只有在離界面稍遠(yuǎn)處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布，使外延層有效厚度變窄。

3.判斷題曝光波長的縮短可以使光刻分辨率線性提高，但同時會使焦深線性減小。如果增大投影物鏡的數(shù)值孔徑，那么在提高光刻分辨率的同時，投影物鏡的焦深也會急劇減小，因此在分辨率和焦深之間必須折衷。

4.判斷題化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

5.判斷題蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分