MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？