晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。