首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
0
/ 200字
搜索
判斷題
雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種:間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。
答案:
錯(cuò)誤
點(diǎn)擊查看答案解析
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
判斷題
基區(qū)主擴(kuò)散屬于有限表面源擴(kuò)散。
答案:
正確
點(diǎn)擊查看答案解析
手機(jī)看題
判斷題
預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量,而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時(shí)在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。
答案:
正確
點(diǎn)擊查看答案解析
手機(jī)看題
微信掃碼免費(fèi)搜題