根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。