從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

MOS器件存在哪些二階效應？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結構？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

版圖設計的基本前提是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。