如圖所示為靜電場(chǎng)的一部分電力線的分布情況，下列說(shuō)法中正確的是（）
A.這個(gè)電場(chǎng)可能是負(fù)點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng)
B.A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向相同
C.點(diǎn)電荷q在A點(diǎn)受到的電場(chǎng)力一定比在B點(diǎn)時(shí)大
D.A點(diǎn)的電勢(shì)一定比B點(diǎn)的電勢(shì)高
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A.高斯定理成立，并可以求出高斯面上各點(diǎn)的E
B.高斯定理成立，但不能由高斯定理求出高斯面上各點(diǎn)的E
C.高斯定理不成立
D.即使電介質(zhì)對(duì)稱，高斯定理也不成立
A.介質(zhì)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零
B.介質(zhì)內(nèi)與介質(zhì)外的電場(chǎng)強(qiáng)度相等
C.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)小
D.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)大
A.處處為零
B.不一定為零
C.一定不為零
A.不變化
B.平均分配
C.不平均分配
A.電場(chǎng)強(qiáng)度空間分布為已知時(shí)；空間各點(diǎn)的電勢(shì)值將唯一確定
B.電勢(shì)空間分布為已知時(shí)；空間各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度值將唯一確定
C.在等勢(shì)面上，某些特殊點(diǎn)處的電場(chǎng)線可以不垂直等勢(shì)面上
D.在渦旋電場(chǎng)中，電勢(shì)仍然有意義
最新試題
理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度無(wú)關(guān)。
溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。
當(dāng)冷變形度超過(guò)10%時(shí)，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。
請(qǐng)用文字解釋：假設(shè)在空間里沒(méi)有其他電荷源的情況下，為什么多個(gè)帶電導(dǎo)體同時(shí)存在時(shí)，每個(gè)導(dǎo)體內(nèi)部都無(wú)電場(chǎng)。
附圖中，M、P、O為由軟磁材料制成的棒，三者在同一平面內(nèi)，當(dāng)K閉合后，（）。
居里溫度是鐵磁性材料使用溫度的最高極限，是材料的固有特性，其高低與該物質(zhì)的化學(xué)組分和晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)。
電導(dǎo)率引起有效磁導(dǎo)率發(fā)生變化的效應(yīng)處于阻抗曲線的切線方向。
鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。
有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f(wàn) /fg的大小的參數(shù)。
經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率等）作參量。