單項(xiàng)選擇題
A.圓錐頂點(diǎn)處電位最高 B.圓錐頂點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)最大 C.圓錐頂點(diǎn)處電位最低 D.圓錐表面附近場(chǎng)強(qiáng)處處相等
如圖所示為靜電場(chǎng)的一部分電力線的分布情況，下列說(shuō)法中正確的是（）
A.這個(gè)電場(chǎng)可能是負(fù)點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng) B.A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向相同 C.點(diǎn)電荷q在A點(diǎn)受到的電場(chǎng)力一定比在B點(diǎn)時(shí)大 D.A點(diǎn)的電勢(shì)一定比B點(diǎn)的電勢(shì)高
A.高斯定理成立，并可以求出高斯面上各點(diǎn)的E B.高斯定理成立，但不能由高斯定理求出高斯面上各點(diǎn)的E C.高斯定理不成立 D.即使電介質(zhì)對(duì)稱，高斯定理也不成立
A.介質(zhì)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零 B.介質(zhì)內(nèi)與介質(zhì)外的電場(chǎng)強(qiáng)度相等 C.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)小 D.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)大
A.處處為零 B.不一定為零 C.一定不為零
A.不變化 B.平均分配 C.不平均分配
A.電場(chǎng)強(qiáng)度空間分布為已知時(shí)；空間各點(diǎn)的電勢(shì)值將唯一確定 B.電勢(shì)空間分布為已知時(shí)；空間各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度值將唯一確定 C.在等勢(shì)面上，某些特殊點(diǎn)處的電場(chǎng)線可以不垂直等勢(shì)面上 D.在渦旋電場(chǎng)中，電勢(shì)仍然有意義
如圖，在充電后的平板電容器中插入電介質(zhì)，則（）
A.在1、2區(qū)部分，電容極板上的自由電荷面密度相同 B.在1、2區(qū)部分，兩電容極板間的電壓相同 C.在1、2區(qū)部分，兩電容極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度不同 D.在1、2區(qū)部分，對(duì)應(yīng)的電位移矢量大小相同
A.F/2 B.F/4 C.3F/8 D.F/10
如圖，不帶電的金屬導(dǎo)體球殼外有一電荷q，金屬內(nèi)及腔內(nèi)電場(chǎng)為零，即所謂被屏蔽，屏蔽原理為：（）
A.電荷q在金屬內(nèi)及腔內(nèi)不能產(chǎn)生電場(chǎng) B.金屬外表面產(chǎn)生均勻分布的感應(yīng)電荷，感應(yīng)電荷在金屬內(nèi)及腔內(nèi)的電場(chǎng)為零 C.電荷q及感應(yīng)電荷在空間各點(diǎn)的和電場(chǎng)為零 D.在金屬內(nèi)及腔內(nèi)，電荷q及感應(yīng)電荷的電場(chǎng)大小相等方向相反
A.由于帶電體具有軸對(duì)稱性，電場(chǎng)強(qiáng)度可以由高斯定理求得 B.圓環(huán)中心的場(chǎng)強(qiáng)為零 C.圓環(huán)中心的電勢(shì)一定，其值為 D.以上說(shuō)法全不對(duì)
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