晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

屬于一維材料的有（）

薄膜的生長(zhǎng)過程主要包含哪幾種類型？（）

適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）

屬于影響成核過程的因素有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

梯度功能材料的主要特征有（）