問(wèn)答題介紹4種常見(jiàn)的SHS技術(shù)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述SHS過(guò)程影響因素
2.問(wèn)答題試述SHS動(dòng)力學(xué)條件
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述多層噴射沉積工藝及特優(yōu)點(diǎn)
4.問(wèn)答題試述噴射沉積過(guò)程原理與機(jī)制參數(shù)
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述噴射沉積工藝的基本原理與特點(diǎn)
最新試題
完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過(guò)（）而進(jìn)行的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于影響成核過(guò)程的因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響CVD質(zhì)量的因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
凝聚開(kāi)始的條件主要取決于（）
題型：多項(xiàng)選擇題
屬于一維材料的有（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說(shuō)法正確的有（）
題型：多項(xiàng)選擇題