問答題

【計算題】
實驗測得不同溫度下碳在鈦中的擴散系數(shù)分別為2×10^-9cm²/s（736℃）、5×10^-9cm²/s（782℃）、1.3×10^-8cm²/s（838℃）。
（1）請判斷該實驗結(jié)果是否符合；
（2）請計算擴散活化能，并求出在500℃時碳的擴散系數(shù)。

答案：

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【計算題】
Zn²⁺在ZnS中擴散時，563℃時的擴散系數(shù)為3×10^-4cm²/s；450℃時的擴散系數(shù)為1.0×10^-4cm²/s，求：
（1）擴散活化能和D₀；
（2）750℃時的擴散系數(shù)；

答案：

【計算題】
在制造硅半導體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當時，）？

答案：