A.本征擴(kuò)散
B.非本征擴(kuò)散
C.正擴(kuò)散
D.逆擴(kuò)散
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A.SiO2的熔點(diǎn)比Al2O3的熔點(diǎn)低
B.SiO2中混入少量的Al2O3會(huì)導(dǎo)致SiO2的熔點(diǎn)降低
C.兩者形成的莫來(lái)石晶體的液相線比較平坦
D.莫來(lái)石的熔點(diǎn)太低,不能用作耐火材料
A.高聚體數(shù)量增多
B.高聚體數(shù)量減少
C.高聚體數(shù)量多于低聚物數(shù)量
D.高聚體數(shù)量少于低聚物數(shù)量
A.MO0.91
B.M1.1O
C.MO0.89
D.MO1.1
最新試題
試定性說(shuō)明珠光體生長(zhǎng)速度和片層間距與過(guò)冷度、界面能和擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系。
晶子學(xué)說(shuō)
擴(kuò)散傳質(zhì)中壓應(yīng)力區(qū)空位濃度<無(wú)應(yīng)力區(qū)空位濃度<張應(yīng)力區(qū)空位濃度。
置換型固溶體
說(shuō)明控制固溶度的因素及規(guī)律。
考慮一個(gè)在T>0K具有N個(gè)原子與NL(V)個(gè)空位的一維單原子固體,說(shuō)明空位濃度分?jǐn)?shù)nv(T)=NL(V)/N可以近似地表示為nvΔl/l0-Δa/a0,其中l(wèi)0=Na0,為固體在T=0K時(shí)的長(zhǎng)度,Δl為長(zhǎng)度的變化,a0固體在T=0K時(shí)的晶格常數(shù),Δa為晶格常數(shù)的變化。
推導(dǎo)成分過(guò)冷的判別式并求出成分過(guò)冷的過(guò)冷度。
受固溶引入的雜質(zhì)離子的電價(jià)和濃度等外界因素所控制的擴(kuò)散是()。
硅酸鹽熔體中同時(shí)存在許多聚合程度不等的負(fù)離子團(tuán),其種類(lèi)、大小和復(fù)雜程度隨熔體的組成和溫度而變。當(dāng)溫度不變時(shí),熔體中堿性氧化物含量增加,O/Si比值增大,這時(shí)熔體中()。
分析下列相圖1)劃分副三角形;2)用箭頭標(biāo)出界線上溫度下降的方向及界線的性質(zhì);3)判斷化合物S的性質(zhì);4)寫(xiě)出各無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及反應(yīng)式;5)分析點(diǎn)1、2熔體的析晶路程。( 注:S、1、E3在一條直線上)