設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構的高電流驅(qū)動能力。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。