問答題簡述ULSI對刻蝕的要求。
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最新試題
由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項選擇題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
半導體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應?
題型:問答題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標準單位制)?
題型:問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題