A.使未曝光的溴化銀粒子脫落；
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔，使顯影均勻，加快顯影；
C.使曝過(guò)光的溴化銀加速溶解；
D.以上全是。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)；
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間；
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距；
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間；
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間；
C.較低電壓、較短時(shí)間；
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率；
B.減小幾何不清晰度；
C.增大厚度寬容度；
D.提高底片對(duì)比度。
A.鉛箔劃傷部位厚度減薄，對(duì)射線吸收減小，從而使該處透射線時(shí)增多；
B.劃傷使鉛箔表面增大，因而發(fā)射電子的面積增大，增感作用加強(qiáng)；
C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大，散射線增加；
D.以上都對(duì)。
最新試題
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管，影響其阻抗變化的因素有（）
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品，工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定，檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn)，檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn)，否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家（）
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照，只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí)，就可采用多膠片技術(shù)。
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過(guò)式線圈，其阻抗變大的情況有（）
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中，錯(cuò)誤的是（）。
X射線檢測(cè)人員健康體檢為每（）年一次。
X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。