單項(xiàng)選擇題單晶片直探頭接觸法探傷中,與探測(cè)面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出,這是因?yàn)椋海ǎ?/strong>

A.近場(chǎng)干擾
B.材質(zhì)衰減
C.盲區(qū)
D.折射


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1.單項(xiàng)選擇題調(diào)節(jié)儀器面板上的“抑制”旋鈕會(huì)影響探傷儀的()

A.垂直線(xiàn)性
B.動(dòng)態(tài)范圍
C.靈敏度
D.以上全部

2.單項(xiàng)選擇題儀器的垂直線(xiàn)性好壞會(huì)影響:()

A.缺陷的當(dāng)量比較
B.AVG曲線(xiàn)面板的使用
C.缺陷的定位
D.以上都對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題儀器水平線(xiàn)性的好壞直接影響:()

A.缺陷性質(zhì)判斷
B.缺陷大小判斷
C.缺陷的精確定位
D.以上都對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題影響儀器靈敏度的旋紐有:()

A.發(fā)射強(qiáng)度和增益旋紐
B.衰減器和抑制
C.深度補(bǔ)償
D.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題探頭上標(biāo)的2.5MHz是指:()

A.重復(fù)頻率
B.工作頻率
C.觸發(fā)脈沖頻率
D.以上都不對(duì)

最新試題

一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。

題型:判斷題

送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。

題型:判斷題

缺陷分類(lèi)應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求,標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線(xiàn)照相檢驗(yàn)范疇的缺陷,必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考,但不作為合格與否判定的依據(jù)。

題型:判斷題

底片或電子圖片、X射線(xiàn)照相檢驗(yàn)記錄、射線(xiàn)檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。

題型:判斷題

觀察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。

題型:判斷題

按輻射安全管理規(guī)定,輻射作業(yè)場(chǎng)所每周應(yīng)進(jìn)行一次輻射劑量檢測(cè)。

題型:判斷題

一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過(guò)一次X射線(xiàn)檢測(cè),若反面還需打底,則無(wú)需X射線(xiàn)檢測(cè)。

題型:判斷題

廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集,定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。

題型:判斷題

X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無(wú)遺留問(wèn)題方可進(jìn)行試壓。

題型:判斷題

X射線(xiàn)檢測(cè)人員健康體檢為每()年一次。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題