多項(xiàng)選擇題晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。
A.形成
B.孵化
C.生長
D.團(tuán)聚
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長速率
2.單項(xiàng)選擇題膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。
A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍
3.單項(xiàng)選擇題氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）
A.嚴(yán)格選擇和控制生長條件
B.溫場的合理設(shè)計
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動干擾較少
4.單項(xiàng)選擇題氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運(yùn)動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。
A.二維晶核
B.臺階
C.扭折
D.團(tuán)簇
5.單項(xiàng)選擇題什么是非奇異面？（）
A.取向在奇異面鄰近的晶面
B.表面能級圖中極小值的點(diǎn)所對應(yīng)的晶面
C.表面能級圖中極大值的點(diǎn)所對應(yīng)的晶面
D.除了奇異面和鄰位面以外的面
最新試題
關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長的方法是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
梯度功能材料的主要特征有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
低維材料主要包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是非奇異面？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CdSe隨著顆粒尺寸的見效，發(fā)光顏色從紅色像綠色和藍(lán)色移動，這種現(xiàn)象歸因于納米顆粒的什么特性？（）
題型：單項(xiàng)選擇題