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單項(xiàng)選擇題新標(biāo)準(zhǔn)DDRII內(nèi)存只需要（）V電壓就可以正常工作。

A.1.5
B.1.7
C.1.8
D.2.5

1.單項(xiàng)選擇題DDRII內(nèi)存采用（）封裝形式，可以提供更好的電氣性能與散熱性。

A.FBGA
B.TSOP
C.BGA
D.BGA

2.單項(xiàng)選擇題DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的（）倍。

A.0
B.1.5
C.2
D.4

3.單項(xiàng)選擇題DDR數(shù)據(jù)頻率等于時(shí)鐘頻率的（）倍，核心頻率是時(shí)鐘頻率的（）倍。

A.2，2
B.2、0
C.2，4
D.2，1.5

4.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存頻率細(xì)分為（）、（）和（）三種頻率。

A.數(shù)據(jù)，存取周期，DRAM核心
B.數(shù)據(jù)，時(shí)鐘，SRAM核心
C.數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、DRAM核心
D.地址，時(shí)鐘，DRAM核心

5.單項(xiàng)選擇題 DDR SDRAM每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能通過(guò)總線傳輸（）次數(shù)據(jù)。而DDRII SDRAM則可以傳送（）次數(shù)據(jù)。

A.2，6
B.4，6
C.2，4
D.4，8