單項選擇題DDRII內(nèi)存的CL（CASLatency）數(shù)值只能達到（）。
A.4-4-8-8
B.4-8-4-8
C.4-4-4-8
D.4-8-8-8
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1.單項選擇題DDRII內(nèi)存擁有（）個引腳。
A.169
B.240
C.184
D.200
2.單項選擇題新標準DDRII內(nèi)存只需要（）V電壓就可以正常工作。
A.1.5
B.1.7
C.1.8
D.2.5
3.單項選擇題DDRII內(nèi)存采用（）封裝形式，可以提供更好的電氣性能與散熱性。
A.FBGA
B.TSOP
C.BGA
D.BGA
4.單項選擇題DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的（）倍。
A.0
B.1.5
C.2
D.4
5.單項選擇題DDR數(shù)據(jù)頻率等于時鐘頻率的（）倍，核心頻率是時鐘頻率的（）倍。
A.2，2
B.2、0
C.2，4
D.2，1.5