例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。