單項選擇題擴散硅敏感膜片的彈性形變量在微應變數(shù)量級，膜片最大位移量在（）。
A、微米數(shù)量級
B、毫米數(shù)量級
C、厘米數(shù)量級
D、納米數(shù)量級
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1.單項選擇題關于擴散硅式壓力變送器下列描述錯誤的是（）。
A、擴散硅芯片由單晶硅經(jīng)過采用集成工藝技術經(jīng)過摻雜、擴散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉換檢測于一體
D、根據(jù)壓阻效應，將壓力轉換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關系，推算壓力大小。
2.單項選擇題擴散硅式壓力變送器的工作主要是基于（）。
A、硅晶體的壓阻效應
B、硅晶體的擴散效應
C、硅晶體的應變效應
D、硅晶體的半導體特性
3.單項選擇題電容式壓力變送器和電容式差壓變送器的工作原理（）。
A、相同
B、不同
C、相近
D、相反
4.單項選擇題當兩側壓力不一致時，致使測量膜片產生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側電容量就不等，通過振蕩和解調環(huán)節(jié)，轉換成的信號和被測壓力成（）關系。
A、正比關系
B、反比關系
C、平方
D、開方
5.單項選擇題壓力（表壓）變送器比壓差變送器簡單，只有一個測量端，另一端不接壓力管，參考壓力為（）。
A、標準大氣壓
B、人為給定壓力
C、環(huán)境壓力
D、零