MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。