1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。