1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。