p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。