1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。