絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。