實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。