MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。