問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

答案： 去除氮化硅使用熱磷酸進(jìn)行濕法化學(xué)剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對(duì)露出的氧化硅具有所希望的高選擇...
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【簡(jiǎn)答題】哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
答案： 多晶硅等離子刻蝕用的化學(xué)氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預(yù)刻蝕，用于去除自然氧...
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【簡(jiǎn)答題】定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
答案： 刻蝕速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蝕所用的時(shí)間高的刻蝕速率，可以通過(guò)精確控制刻蝕時(shí)間來(lái)控制刻蝕的...
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