“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。