處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。