簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。

簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現(xiàn)。

氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房內(nèi)進行。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。