什么叫晶體缺陷？

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。

簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。

濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。