你可能感興趣的試題

填空題
離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。
答案：平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差
填空題
外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。
答案：不夠；質(zhì)量差
填空題
微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。
答案：集總參數(shù)
填空題
厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。
答案：氧化鈹陶瓷
填空題
外殼設(shè)計包括電性能設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而（）設(shè)計也包含在這三部分中間。
答案：可靠性
填空題
釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。
答案：濕度
填空題
如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。
答案：不合格
填空題
芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。
答案：剪切強度
填空題
金絲球焊的優(yōu)點是無方向性，鍵合強度一般（）同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。
答案：大于
填空題
釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。
答案：導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)

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二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

你可能感興趣的試題

離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

外殼設(shè)計包括電性能設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而（）設(shè)計也包含在這三部分中間。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。

金絲球焊的優(yōu)點是無方向性，鍵合強度一般（）同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。

釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

你可能感興趣的試題

離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

外殼設(shè)計包括電性能設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而（）設(shè)計也包含在這三部分中間。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。

金絲球焊的優(yōu)點是無方向性，鍵合強度一般（）同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。

釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

外殼設(shè)計包括電性能設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而（）設(shè)計也包含在這三部分中間。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。

金絲球焊的優(yōu)點是無方向性，鍵合強度一般（）同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。

釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。