單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)


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1.單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：（）

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

3.單項(xiàng)選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量
B.劑量

4.多項(xiàng)選擇題硅外延片的應(yīng)用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路

5.多項(xiàng)選擇題硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理

最新試題

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

題型：判斷題

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

題型：判斷題

位錯(cuò)就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）

題型：判斷題

晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）

題型：判斷題

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

題型：判斷題

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

題型：判斷題

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

題型：判斷題

在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

題型：判斷題

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結(jié)越有利。（）

題型：判斷題

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

題型：判斷題