單項選擇題單相3線插座接線有嚴格規(guī)定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
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1.多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同,真空蒸發(fā)工藝可分為:()蒸發(fā)、()蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
2.單項選擇題將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸,再用紫外光照射來進行曝光的方法,稱為()曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
3.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導體晶片表面的掩膜層上的工藝()
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
4.單項選擇題介質隔離是以絕緣性能良好的電介質作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質是()層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
5.單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質起掩蔽作用進行()擴散。
A.預
B.再
C.選擇
最新試題
厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()
題型:判斷題
晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。()
題型:判斷題
絲網印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。()
題型:判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。()
題型:判斷題
目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經生產廠家嚴格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經退火反而壞了性能。()
題型:判斷題
離子源是產生離子的裝置。()
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半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.()
題型:判斷題
設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經嚴格清潔處理,可直接進入凈化區(qū)。()
題型:判斷題
片狀源擴散具有設備簡單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復性和表面質量都較好,適于批量生產,應用越來越普遍。()
題型:判斷題
位錯就是由范性形變造成的,它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位,這樣產生線缺陷稱為位錯。()
題型:判斷題