解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

描述RF濺射系統(tǒng)。

光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？

什么是結(jié)深？

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？