下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？
最新試題
敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。
例舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
