哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

描述化學機械平坦化工藝。

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

光學光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？