例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

解釋什么是暗場掩模板？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。