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多項選擇題

擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。

A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型

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多項選擇題
二氧化硅薄膜厚度的測量方法有（）。
A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法
多項選擇題
二氧化硅膜的質(zhì)量要求有（）。
A.薄膜表面無斑點
B.薄膜中的帶電離子含量符合要求
C.薄膜表面無針孔
D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)
E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密

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