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固體中的擴散模型主要有填隙機制和()。
A.自擴散機制
B.雜質(zhì)擴散機制
C.空位機制
D.菲克擴散方程機制
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單項選擇題
對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子,可以采用()方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散
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單項選擇題
擴散工藝現(xiàn)在廣泛應用于制作()。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結
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