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A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強光刻膠對晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷

A.負膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形
D.使用負膠可以得到更高的分辨率
E.負膠的曝光區(qū)將會膨脹變形