多項選擇題

在半導體工藝中，淀積的薄膜層應滿足的參數(shù)包含有（）。

A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應力
D.純凈度
E.電容

你可能感興趣的試題

單項選擇題

為了防止抽氣設備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個（）或采用無油泵。

A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵

單項選擇題

離子源的基本結構是由產生高密度等離子體的（）和引出部分組成。

A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體