單項(xiàng)選擇題

電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。

A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子

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單項(xiàng)選擇題

由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。

A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性

單項(xiàng)選擇題

刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水