一半徑為R,電阻率為ρ的金屬薄圓盤放在磁場中,B的方向與盤面垂直,B的值為B(t)=B0t/τ,式中的B0和τ為常量,t為時間。
(1)求盤中產(chǎn)生的渦電流的電流密度;
(2)若R=0.20m,ρ=6.0×10-8Ω·m,B0=2.2T,τ=18.0s,計算圓盤邊緣處的電流密度。
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一質(zhì)點在Ox軸上的A、B之間作簡諧運動。O為平衡位置,質(zhì)點每秒鐘往返三次。若分別以x1和x2為起始位置,箭頭表示起始時的運動方向,則它們的振動方程為(1)();(2)()。
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