A.內(nèi)部缺陷處的漏磁通,比同樣大小的表面缺陷為大 B.缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比 C.表面缺陷的漏磁通密度,隨著離開表面距離的增加而急劇減弱 D.用有限線圈磁化長的試件,不需進行分段磁化