填空題工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）

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4.單項選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池，以下說法錯誤的是（）

A.在擴散運動中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴散電流主要是由少子貢獻。
B.非晶硅對可見光譜的吸收很強，是晶硅的500倍，整個太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導退化效應（S-W效應），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

5.單項選擇題非晶硅太陽能電池的基本構(gòu)造是下列的哪種？（）

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS